作者pl132 (pl132)
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標題[新聞]突破 300 層門檻!SK 海力士宣布量產 321
時間Thu Nov 21 12:45:24 2024
突破 300 層門檻!SK 海力士宣布量產 321 層堆疊 NAND Flash
https://tinyurl.com/28mesjhx
韓國記憶體大廠 SK 海力士於 21 日宣布,開始量產全球最高的 321 層堆疊 1Tb TLC
4D NAND Flash 快閃記憶體。
SK 海力士表示,從 2023 年 6 月量產當前最高的上一代 238 層堆疊 NAND Flash 快閃
記憶體,並供應於市場之後,現在又率先推出了超過 300 層堆疊的 NAND Flash 快閃記
憶體,突破了技術界限。SK 海力士計劃從 2025 年上半年起,開始向客戶提供 321 層堆
疊的產品,以此因應市場的需求。
SK 海力士強調,在此次產品開發過程中採用了高生產效率的 3-Plug 製程技術,克服了
堆疊局限。該技術分三次進行通孔製程,隨後經過優化的後續工程,將 3 個通孔進行電
氣連接。在其過程中開發出了低變形的材料,並引進了通孔間自動排列(alignment)矯
正技術。
另外,技術團隊也將上一代 238 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體的開發平台,應用於
321 層堆疊的產品上,由此最大限度地減少了製程的變化。與上一代產品相較,其生產
效率提升了 59%。還有,此次 321 層堆疊的產品與上一代產品相較,數據傳輸速度和讀
取性能分別提高了 12%、13%,並且數據讀取能效也提高 10% 以上。SK 海力士接下來將
以 321 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體,積極因應針對 AI 低功耗、高性能的新市場,
並逐漸擴大其應用範圍。
SK 海力士 NAND Flash 快閃記憶體開發副社長崔正達表示,公司率先投入 300 層堆疊以
上的 NAND Flash 快閃記憶體量產,在攻佔用於 AI 資料中心的固態硬碟、邊緣 AI 等針
對 AI 的記憶體市場方面占有有利地位。未來,公司將不僅在 HBM 為代表的 DRAM,在
NAND Flash 快閃記憶體領域也具備超高性能記憶體產品組合,將躍升為全方位面向 AI
的記憶體供應商。
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噓 sqt : 韓國到底知不知道重點要報告出 良率% 是多少? 11/21 12:50
→ physicsdk : 還好吧 愛拿幾層來嘴光光更兇 然後市佔率還是被海 11/21 12:52
→ physicsdk : 力士按在地上摩擦 11/21 12:52
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→ godwarder : 就當初長江第一個跳出來說量產232震驚世界 11/21 13:52
推 Kroner : 有人知道如何處理關節痛嗎?求分享! 11/21 13:52→ godwarder : 之後就變成層數競賽了 11/21 13:53
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→ physicsdk : 可以拿去丟 再來說 11/21 14:27
→ gw00086 : AI也要放乖乖ㄚ 11/21 14:32
推 Kroner : 我有在用UC2,感覺效果還不錯欸! 11/21 14:32→ physicsdk : 好啊 標準先放低一點 AI放乖乖 做到不用人力輪班顧 11/21 14:33
→ physicsdk : 機台 良率能做到一樣 就給過XD 11/21 14:33
→ samm3320 : 轉3D本來就拼層數,從48層就開始拼了 11/21 14:57
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推 cht12341234 : 記憶體無法縮小了 11/21 17:40